机译:在调制掺杂的β-(AlxGa1-x)(2)O-3 / Ga2O3异质结界面处观察到载流子限制
机译:β-(AL0.18GA0.82)2O3 / GA2O3双异质结晶体管,平均场为5.5 mV / cm
机译:调制掺杂的β_(Al_(0.2)Ga(0.8)_2O_3 / Ga_2O_3场效应晶体管
机译:漏电流超过1.5 / 1.0 A / mm的绝缘体场效应晶体管上的耗尽/增强模式β-Ga2O3
机译:硅/硅锗调制掺杂的场效应晶体管,用于互补电路应用。
机译:β-Ga2O3纳米膜具有陡峭亚阈值的负电容场效应晶体管宽带隙逻辑应用的斜率
机译:调制掺杂的β-(Al0.2Ga0.8)(2)O-3 / Ga2O3场效应晶体管